Nhằm đón đầu xu thế này, hãng SK Hynix (1 hãng chuyên sản xuất bộ nhớ máy tính) mới đây vừa công bố họ đã phát triển thành công bộ nhớ DDR4 mới có dung lượng cực lớn lên tới 128 GB. Bộ nhớ này được xây dựng dựa trên các chip nhớ 8 Gb (Gigabit), và bằng tiến trình công nghệ 20 nm tiên tiến của SK Hynix.
So với các bộ nhớ 64 GB hiện tại của công ty, thì phiên bản 128 GB này đã được nâng cao gấp đôi về mật độ lưu trữ, nhờ việc áp dụng công nghệ TSV(Through Silicon Via). SK Hynix cho biết bộ nhớ mới của họ hoạt động ở tốc độ 2133 Mbps, và với I/O 64-bit I/O nó có thể xử lý tới 17 GB dữ liệu mỗi giây. Bộ nhớ cũng yêu cầu điện áp thấp khi hoạt động, với chỉ 1,2V (bộ nhớ DDR3 yêu cầu 1,35V).